SI3585CDV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.048 Ω
耗散功率 1.4 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI3585CDV-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI3585CDV-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3585CDV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI3585CDV-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.9 A, 20 V, 0.048 ohm, 4.5 V, 1.5 V | 搜索库存 |
替代型号SI3585CDV-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SI3585CDV-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TSOP | 当前型号 | VISHAY SI3585CDV-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.9 A, 20 V, 0.048 ohm, 4.5 V, 1.5 V | 当前型号 |
| 型号： SI3588DV-T1-E3 品牌： 威世 封装： TSOP N-Channel 20V 3A 80mΩ | 类似代替 | VISHAY SI3588DV-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 20 V, 0.064 ohm, 4.5 V, 450 mV | SI3585CDV-T1-GE3和SI3588DV-T1-E3的区别 |