MB85R256FPFCN-G-BNDE1、MB85R256HPFCN对比区别

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型号 MB85R256FPFCN-G-BNDE1 MB85R256HPFCN

描述 Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, 11.80 X 8MM, 0.55MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-28Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, 11.80 X 8MM, 1.2MM HEIGHT, 0.55MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-28

数据手册 --

制造商 Fujitsu (富士通) Fujitsu (富士通)

分类 RAM芯片

安装方式 Surface Mount -

引脚数 28 -

封装 TSOP-28 -

存取时间 150 ns -

存取时间(Max) 70 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

电源电压 2.7V ~ 3.6V -

封装 TSOP-28 -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 -