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MB85R256FPFCN-G-BNDE1

MB85R256FPFCN-G-BNDE1

数据手册.pdf
Fujitsu(富士通) 主动器件

Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, 11.80 X 8MM, 0.55MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-28

FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 256Kb(32K x 8) 并联 28-TSOP I


立创商城:
MB85R256FPFCN G BNDE1


得捷:
IC FRAM 256KBIT PAR 28TSOP I


艾睿:
FRAM 256Kbit Parallel Interface 3.3V 28-Pin TSOP-I Tray


安富利:
NVRAM FRAM Parallel 256K-Bit 3.3V 28-Pin TSOP-I


Verical:
FRAM 256Kbit Parallel Interface 3.3V 28-Pin TSOP-I Tray


MB85R256FPFCN-G-BNDE1中文资料参数规格
技术参数

存取时间 150 ns

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 TSOP-28

外形尺寸

封装 TSOP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MB85R256FPFCN-G-BNDE1引脚图与封装图
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在线购买MB85R256FPFCN-G-BNDE1
型号 制造商 描述 购买
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 Fujitsu 富士通 Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, 11.80 X 8MM, 0.55MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-28 搜索库存
替代型号MB85R256FPFCN-G-BNDE1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MB85R256FPFCN-G-BNDE1

品牌: Fujitsu 富士通

封装: TSOP

当前型号

Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, 11.80 X 8MM, 0.55MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-28

当前型号

型号: MB85R256HPFCN

品牌: 富士通

封装:

功能相似

Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, 11.80 X 8MM, 1.2MM HEIGHT, 0.55MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-28

MB85R256FPFCN-G-BNDE1和MB85R256HPFCN的区别