APT10035JLL、APT10050JVFR、IXTN21N100对比区别

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型号 APT10035JLL APT10050JVFR IXTN21N100

描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 25A 4Pin SOT-227Trans MOSFET N-CH 1kV 19A 4Pin SOT-227SOT-227B N-CH 1000V 21A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 4 4 3

封装 SOT-227-4 SOT-227 SOT-227-4

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 28.0 A 19.0 A 21.0 A

耗散功率 520 W 450 W 520W (Tc)

输入电容 5.18 nF 7.90 nF -

栅电荷 186 nC 500 nC -

漏源极电压(Vds) 1000 V 1.00 kV 1000 V

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 19.0 A 21.0 A

上升时间 10 ns 13 ns 50.0 ns

输入电容(Ciss) 5185pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)

下降时间 9 ns 8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 520W (Tc) 450000 mW 520W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 350 mΩ - -

阈值电压 3 V - -

漏源击穿电压 1000 V - -

额定功率(Max) 520 W - 520 W

额定功率 - - 520 W

极性 - - N-Channel

封装 SOT-227-4 SOT-227 SOT-227-4

长度 38 mm - -

宽度 25.2 mm - -

高度 8.9 mm - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)