额定电压DC 1.00 kV
额定电流 19.0 A
耗散功率 450 W
输入电容 7.90 nF
栅电荷 500 nC
漏源极电压Vds 1.00 kV
连续漏极电流Ids 19.0 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 450000 mW
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227
封装 SOT-227
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
APT10050JVFR | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 1kV 19A 4Pin SOT-227 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: APT10050JVFR 品牌: Microsemi 美高森美 封装: SOT-227 1kV 19A 7.9nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1kV 19A 4Pin SOT-227 | 当前型号 | |
型号: APT10035JLL 品牌: 美高森美 封装: SOT-227 1kV 25A 5.18nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 1kV 25A 4Pin SOT-227 | APT10050JVFR和APT10035JLL的区别 | |
型号: APT21M100J 品牌: 美高森美 封装: SOT-227 1kV 21A 8.5nF | 类似代替 | N沟道MOSFET N-Channel MOSFET | APT10050JVFR和APT21M100J的区别 | |
型号: APT10035JFLL 品牌: 美高森美 封装: SOT-227 N-CH 1kV 25A 5.18nF | 类似代替 | SOT-227 N-CH 1000V 25A | APT10050JVFR和APT10035JFLL的区别 |