APT10035JLL
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT10035JLL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 28.0 A
通道数 1
漏源极电阻 350 mΩ
耗散功率 520 W
阈值电压 3 V
输入电容 5.18 nF
栅电荷 186 nC
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 5185pF @25VVds
额定功率Max 520 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38 mm
宽度 25.2 mm
高度 8.9 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT10035JLL引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT10035JLL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT10035JLL | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 1kV 25A 4Pin SOT-227 | 搜索库存 |
替代型号APT10035JLL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT10035JLL 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT-227 1kV 25A 5.18nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1kV 25A 4Pin SOT-227 | 当前型号 |
| 型号： APT10035JFLL 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 1kV 25A 5.18nF | 类似代替 | SOT-227 N-CH 1000V 25A | APT10035JLL和APT10035JFLL的区别 |
| 型号： APT10050JVFR 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 1kV 19A 7.9nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 1kV 19A 4Pin SOT-227 | APT10035JLL和APT10050JVFR的区别 |
| 型号： IXTN21N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 N-Channel 1kV 21A | 功能相似 | SOT-227B N-CH 1000V 21A | APT10035JLL和IXTN21N100的区别 |