CSD19531KCS、IRFPS3810PBF、CSD19533Q5A对比区别

高亮显示差异参数

型号 CSD19531KCS IRFPS3810PBF CSD19533Q5A

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CSD19531KCS.  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3N沟道 100 V 580 W 260 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-274AA100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Infineon (英飞凌) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 8

封装 TO-220-3 TO-247-3 VSON-FET-8

额定功率 - 441 W -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 179 W 580 W 3.2 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 100A 170A 100A

上升时间 7.2 ns 270 ns 6 ns

输入电容(Ciss) 3870pF @50V(Vds) 6790pF @25V(Vds) 2670pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 214 W 580 W -

下降时间 4.1 ns 140 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 214W (Tc) 580W (Tc) 3.2W (Ta), 96W (Tc)

针脚数 3 - 8

漏源极电阻 0.0064 Ω - 0.0078 Ω

阈值电压 2.7 V - 2.8 V

长度 10.67 mm 15.87 mm -

宽度 4.7 mm 5.31 mm -

高度 16.51 mm 20.7 mm -

封装 TO-220-3 TO-247-3 VSON-FET-8

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tube Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -