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CSD19533Q5A

CSD19533Q5A

TI(德州仪器) 分立器件

100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19533Q5A

这款 100V,7.8mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值

。最大 RθJC = 1.3°C/W,持续时间 ≤100μs,占空比 ≤1%

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超低 Qg 和 Qgd
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低热阻
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雪崩额定值
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无铅端子镀层
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素
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小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装

## 应用范围

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初级侧电信应用
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次级侧同步整流器
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电机控制
CSD19533Q5A中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0078 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.2 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 2670pF @50VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta, 96W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-FET-8

外形尺寸

封装 VSON-FET-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 工业, 通信与网络, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD19533Q5A引脚图与封装图
CSD19533Q5A引脚图

CSD19533Q5A引脚图

CSD19533Q5A封装图

CSD19533Q5A封装图

CSD19533Q5A封装焊盘图

CSD19533Q5A封装焊盘图

在线购买CSD19533Q5A
型号 制造商 描述 购买
CSD19533Q5A TI 德州仪器 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19533Q5A 搜索库存
替代型号CSD19533Q5A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD19533Q5A

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON-FET-8 N-Channel 100V 100A

当前型号

100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19533Q5A

当前型号

型号: CSD19531Q5A

品牌: 德州仪器

封装: VSON-FET-8 N-Channel 100V 100A

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