CSD19533Q5A
TI(德州仪器)
分立器件
100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19533Q5A
这款 100V,7.8mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 1.3°C/W,持续时间 ≤100μs,占空比 ≤1%
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩额定值
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- 无铅端子镀层
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装
## 应用范围
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- 初级侧电信应用
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- 次级侧同步整流器
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- 电机控制