针脚数 8
漏源极电阻 0.0078 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 2670pF @50VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 96W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-FET-8
封装 VSON-FET-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 工业, 通信与网络, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD19533Q5A引脚图
CSD19533Q5A封装图
CSD19533Q5A封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD19533Q5A | TI 德州仪器 | 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD19533Q5A 品牌： TI 德州仪器 封装： VSON-FET-8 N-Channel 100V 100A | 当前型号 | 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A | 当前型号 |
| 型号： CSD19531Q5A 品牌： 德州仪器 封装： VSON-FET-8 N-Channel 100V 100A | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V | CSD19533Q5A和CSD19531Q5A的区别 |
| 型号： CSD19531KCS 品牌： 德州仪器 封装： TO-220 N-Channel 100V 100A | 功能相似 | TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3 | CSD19533Q5A和CSD19531KCS的区别 |
| 型号： CSD19535KCS 品牌： 德州仪器 封装： TO-220-3 N-Channel 100V 150A | 功能相似 | 100V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD19535KCS | CSD19533Q5A和CSD19535KCS的区别 |
