IRGR4607DTRLPBF、IRGR4607DTRPBF、IRGR4607DPBF对比区别
型号 IRGR4607DTRLPBF IRGR4607DTRPBF IRGR4607DPBF
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RIGBT 高达 20A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - - 58 W
针脚数 - - 3
极性 - - N-Channel
耗散功率 58000 mW 58000 mW 58 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 48 ns 48 ns 48 ns
额定功率(Max) 58 W 58 W 58 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 58000 mW 58000 mW 58 W
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17