IRGR4607DPBF

IGBT 高达 20A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。

单 IGBT 高达 20A，

优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能

得捷:
IGBT 600V 11A 58W DPAK

欧时:
### 单 IGBT 高达 20A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。

e络盟:
INFINEON  IRGR4607DPBF  单晶体管, IGBT, 11 A, 1.75 V, 58 W, 600 V, TO-252, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3-Pin2+Tab DPAK Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin DPAK Tube

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 11A; 58W; DPAK

Newark:
# INFINEON  IRGR4607DPBF  IGBT Single Transistor, 11 A, 1.75 V, 58 W, 600 V, TO-252, 3