IRGR4607DTRLPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRGR4607DTRLPBF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 58000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 48 ns
额定功率Max 58 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 58000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRGR4607DTRLPBF引脚图与封装图
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在线购买IRGR4607DTRLPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRGR4607DTRLPBF | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号IRGR4607DTRLPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRGR4607DTRLPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 58000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRGR4607DTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： DPAK-3 58000mW | 完全替代 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | IRGR4607DTRLPBF和IRGR4607DTRPBF的区别 |
| 型号： IRGR4607DPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-252 58000mW | 类似代替 | IGBT 高达 20A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。 | IRGR4607DTRLPBF和IRGR4607DPBF的区别 |