2N2907AL、JAN2N2907A、2N2907A对比区别

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型号 2N2907AL JAN2N2907A 2N2907A

描述 抗辐射 RADIATION HARDENEDPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTORSTMICROELECTRONICS  2N2907A  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-18-3 TO-18-3 TO-18

耗散功率 - 0.5 W 400 mW

输入电容 - 30 pF -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 400 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 400 mW

频率 - - 200 MHz

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -600 mA

针脚数 - - 3

极性 PNP - PNP

直流电流增益(hFE) - - 300

集电极最大允许电流 0.6A - -

封装 TO-18-3 TO-18-3 TO-18

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99