JAN2N2907A
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N2907A中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.5 W
输入电容 30 pF
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18-3
外形尺寸
封装 TO-18-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
JAN2N2907A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN2N2907A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N2907A | Microsemi 美高森美 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JAN2N2907A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N2907A 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-18 0.5W | 当前型号 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N2907AL 品牌： 美高森美 封装： TO-18 500mW | 完全替代 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | JAN2N2907A和JANTX2N2907AL的区别 |
| 型号： 2N2907AL 品牌： 美高森美 封装： TO-18 PNP | 完全替代 | 抗辐射 RADIATION HARDENED | JAN2N2907A和2N2907AL的区别 |
| 型号： JANS2N2907A 品牌： 美高森美 封装： TO-18-3 500mW | 类似代替 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | JAN2N2907A和JANS2N2907A的区别 |