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FQP50N06L

FQP50N06L

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

The is a 60V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This product is general usage and suitable for many different applications.

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Low gate charge
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100% Avalanche tested
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Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
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Switching loss improvements
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Lower conduction loss
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175°C Maximum junction temperature rating
FQP50N06L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 52.4 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.017 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 121 W

阈值电压 2.5 V

输入电容 1.25 nF

栅电荷 24.5 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 52.0 A

上升时间 380 ns

输入电容Ciss 1630pF @25VVds

额定功率Max 121 W

下降时间 145 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 121 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Lighting, Motor Drive & Control, Audio

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

FQP50N06L引脚图与封装图
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在线购买FQP50N06L
型号 制造商 描述 购买
FQP50N06L Fairchild 飞兆/仙童 QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FQP50N06L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FQP50N06L

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： TO-220 N-Channel 60V 52A 21mohms 1.25nF

当前型号

QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号： STP55NF06

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ

功能相似

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

FQP50N06L和STP55NF06的区别

型号： STP60NF06

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V

FQP50N06L和STP60NF06的区别

型号： STP60NF06L

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 60A 14mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

FQP50N06L和STP60NF06L的区别