IPD079N06L3GBTMA1、IRFR1018EPBF、IPD50N06S4L12ATMA2对比区别

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型号 IPD079N06L3GBTMA1 IRFR1018EPBF IPD50N06S4L12ATMA2

描述 INFINEON  IPD079N06L3GBTMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 VINFINEON  IRFR1018EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 60 V, 7.1 mohm, 20 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 79 W 110 W -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0063 Ω 0.0071 Ω 0.0096 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 79 W 110 W 50 W

阈值电压 1.7 V 4 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 50A 79A 50A

上升时间 26 ns 35 ns 2 ns

输入电容(Ciss) 3700pF @30V(Vds) 2290pF @50V(Vds) 2220pF @25V(Vds)

下降时间 7 ns 46 ns 5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 79 W 110W (Tc) 50000 mW

额定功率(Max) - 110 W -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.223 mm 6.22 mm -

高度 2.413 mm 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)