IPD50N06S4L12ATMA2
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD50N06S4L12ATMA2中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0096 Ω
极性 N-CH
耗散功率 50 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 2220pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, Solenoids control, Single-ended motors, Valves control
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
IPD50N06S4L12ATMA2引脚图与封装图 
IPD50N06S4L12ATMA2封装焊盘图
在线购买IPD50N06S4L12ATMA2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V | 搜索库存 |
替代型号IPD50N06S4L12ATMA2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD50N06S4L12ATMA2 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 60V 50A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V | 当前型号 |
| 型号： IRLR3636PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 99A | 类似代替 | INFINEON IRLR3636PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.8 mohm, 10 V, 2.5 V | IPD50N06S4L12ATMA2和IRLR3636PBF的区别 |
| 型号： IPD079N06L3GBTMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 50A | 类似代替 | INFINEON IPD079N06L3GBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V | IPD50N06S4L12ATMA2和IPD079N06L3GBTMA1的区别 |
| 型号： IPD088N06N3GBTMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 50A | 类似代替 | INFINEON IPD088N06N3GBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V | IPD50N06S4L12ATMA2和IPD088N06N3GBTMA1的区别 |