BD180G、TIP131、BD180对比区别

高亮显示差异参数

型号 BD180G TIP131 BD180

描述 ON SEMICONDUCTOR  BD180G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 40 hFE达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-126-3

引脚数 3 - -

额定电压(DC) -80.0 V 80.0 V -80.0 V

额定电流 -3.00 A 8.00 A -3.00 A

耗散功率 30 W 70 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 1000 @4A, 4V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 30 W 2 W 30 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

极性 PNP - PNP

集电极最大允许电流 1A - 1A

最大电流放大倍数(hFE) 250 - 250

频率 3 MHz - -

额定功率 30 W - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 40 - -

耗散功率(Max) 30000 mW - -

长度 7.74 mm 10.28 mm 7.74 mm

宽度 2.66 mm 4.82 mm 2.66 mm

高度 11.04 mm 9.28 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-126-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Bulk

最小包装 - - 500

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -