TIP131中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 8.00 A
耗散功率 70 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @4A, 4V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
TIP131引脚图与封装图
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在线购买TIP131
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TIP131 | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号TIP131
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TIP131 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 80V 8A | 当前型号 | 达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： D44H11G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 80V 10A 2000mW | 类似代替 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | TIP131和D44H11G的区别 |
| 型号： D44H11 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 NPN 80V 10A 50000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS D44H11 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 W, 10 A, 60 hFE | TIP131和D44H11的区别 |
| 型号： BDX53B 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 NPN 60000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS BDX53B 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 60 W, 8 A, 750 hFE | TIP131和BDX53B的区别 |