FDB6030BL、ISL9N322AS3ST对比区别

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型号 FDB6030BL ISL9N322AS3ST

描述 N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 -

通道数 - 1

漏源极电阻 18.0 mΩ 22 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 50 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 40.0 A 20.0 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃

额定电压(DC) 30.0 V -

额定电流 40.0 A -

输入电容 1.16 nF -

栅电荷 12.0 nC -

上升时间 11 ns -

输入电容(Ciss) 1160pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 60 W -

下降时间 8 ns -

耗散功率(Max) 60W (Tc) -

长度 10.67 mm 10.67 mm

宽度 9.65 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 -