FDB6030BL
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB6030BL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 40.0 A
漏源极电阻 18.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
输入电容 1.16 nF
栅电荷 12.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1160pF @15VVds
额定功率Max 60 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB6030BL引脚图与封装图
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在线购买FDB6030BL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB6030BL | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDB6030BL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB6030BL 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 30V 40A 18mohms 1.16nF | 当前型号 | N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： ISL9N322AS3ST 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 30V 20A 22mΩ | 类似代替 | N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs | FDB6030BL和ISL9N322AS3ST的区别 |