IRFBC20LPBF、SPI07N60C3、STI13NM60N对比区别

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型号 IRFBC20LPBF SPI07N60C3 STI13NM60N

描述 MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262新的革命高电压技术，超低栅极电荷 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate chargeSTMICROELECTRONICS  STI13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

引脚数 - 3 3

耗散功率 3.1W (Ta), 50W (Tc) 83 W 90 W

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds) 790pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 83 W 90 W

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 83000 mW 90W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.28 Ω

极性 - N-CH N-Channel

阈值电压 - - 3 V

漏源击穿电压 - - 600 V

连续漏极电流(Ids) - 7.30 A 11A

上升时间 - 3.5 ns 8 ns

下降时间 - 7 ns 10 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 7.30 A -

长度 10.67 mm 10.2 mm 10.4 mm

宽度 4.83 mm 4.5 mm 4.6 mm

高度 9.65 mm 9.45 mm 10.75 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

香港进出口证 - - NLR