额定电压DC 650 V
额定电流 7.30 A
极性 N-CH
耗散功率 83 W
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 7.30 A
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 790pF @25VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SPI07N60C3 | Infineon 英飞凌 | 新的革命高电压技术,超低栅极电荷 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SPI07N60C3 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-262-3 N-CH 650V 7.3A | 当前型号 | 新的革命高电压技术,超低栅极电荷 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge | 当前型号 | |
型号: SPI07N60S5 品牌: 英飞凌 封装: TO-262 N-CH 600V 7.3A 970pF | 类似代替 | 酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology | SPI07N60C3和SPI07N60S5的区别 | |
型号: STB6NK60Z-1 品牌: 意法半导体 封装: I2PAK | 功能相似 | N沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET | SPI07N60C3和STB6NK60Z-1的区别 | |
型号: IRF830ALPBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-262-3 | 功能相似 | MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3 | SPI07N60C3和IRF830ALPBF的区别 |