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SPI07N60C3

SPI07N60C3

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
SPI07N60C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 7.30 A

极性 N-CH

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 7.30 A

上升时间 3.5 ns

输入电容Ciss 790pF @25VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPI07N60C3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPI07N60C3 Infineon 英飞凌 新的革命高电压技术,超低栅极电荷 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge 搜索库存
替代型号SPI07N60C3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPI07N60C3

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-262-3 N-CH 650V 7.3A

当前型号

新的革命高电压技术,超低栅极电荷 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge

当前型号

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