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STI13NM60N

STI13NM60N

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STI13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STI13NM60N, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STI13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


富昌:
STI13NM60N 系列 600 V 360 mOhm N 沟道 MDmesh™ II 功率 MOSFET - IPAK-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STI13NM60N  Power MOSFET, N Channel, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
600V,11A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK


STI13NM60N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.28 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 790pF @50VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 10.75 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

STI13NM60N引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STI13NM60N ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STI13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STI13NM60N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STI13NM60N

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-262 N-Channel 600V 11A

当前型号

STMICROELECTRONICS  STI13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： STB6NK60Z-1

品牌： 意法半导体

封装： I2PAK

类似代替

N沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

STI13NM60N和STB6NK60Z-1的区别

型号： STB10NK60Z-1

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 600V 10A 750mΩ

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STI13NM60N和STB10NK60Z-1的区别

型号： STB11NM60-1

品牌： 意法半导体

封装： I2PAK-3 N-Channel 600V 11A 450mohms 1nF

类似代替

N沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET

STI13NM60N和STB11NM60-1的区别