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PMBFJ177,215、PMBFJ174,215、J177,126对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMBFJ177,215 PMBFJ174,215 J177,126

描述 P 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。NXP  PMBFJ174,215  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFET射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 AMMORA FET-RFSS

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3

击穿电压 30.0 V 30.0 V -

漏源极电阻 300 Ω 85 Ω 300 Ω

耗散功率 300 mW 300 mW 300 mW

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V -

栅源击穿电压 30 V 30 V -

击穿电压 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 8pF @10V(Vgs) 8pF @10V(Vgs) 8pF @10V(Vgs)

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 400 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

极性 - P-Channel -

长度 3 mm 3 mm 4.8 mm

宽度 1.4 mm 1.4 mm 4.2 mm

高度 1 mm 1 mm 5.2 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2019/01/15 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -