J177,126
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
J177,126中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 300 Ω
耗散功率 300 mW
漏源极电压Vds 30 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 8pF @10VVgs
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.8 mm
宽度 4.2 mm
高度 5.2 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
J177,126引脚图与封装图
暂无图片
替代型号J177,126
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： J177,126 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-226-3 | 当前型号 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS | 当前型号 |
| 型号： J176,126 品牌： 恩智浦 封装： TO-226-3 | 类似代替 | Trans JFET P-CH 30V 35mA Si 3Pin SPT Ammo | J177,126和J176,126的区别 |
| 型号： PMBFJ177,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 300mW | 功能相似 | P 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | J177,126和PMBFJ177,215的区别 |