CSD18543Q3A、CSD18543Q3AT、CSD18534Q5A对比区别
型号 CSD18543Q3A CSD18543Q3AT CSD18534Q5A
描述 CSD18543Q3A 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETCSD18543Q3AT 编带60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18534Q5A
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PowerVDFN-8 VSONP-8 PowerTDFN-8
耗散功率 2.8 W 66 W 3.1 W
上升时间 18 ns 18 ns 5.5 ns
输入电容(Ciss) 885pF @30V(Vds) 1150pF @30V(Vds) 1770pF @30V(Vds)
下降时间 4 ns 4 ns 2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2800 mW 66W (Tc) 3.1W (Ta), 77W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 0.0081 Ω 0.0078 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
阈值电压 - 2 V 1.9 V
漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - - 50A
额定功率(Max) - - 3.1 W
长度 3.15 mm 3.15 mm 5.8 mm
宽度 3 mm 3 mm 5 mm
高度 0.9 mm 0.9 mm 1.1 mm
封装 PowerVDFN-8 VSONP-8 PowerTDFN-8
材质 Silicon Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 - - NLR