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CSD18543Q3AT

CSD18543Q3AT

TI(德州仪器) 分立器件

CSD18543Q3AT 编带

N-Channel 60V 12A Ta, 60A Tc 66W Tc Surface Mount 8-VSON 3.3x3.3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON


立创商城:
N沟道 60V 12A


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 9.9 mOhm


贸泽:
MOSFET 60V, N ch NexFET MOSFETG , single SON3x3, 9.9mOhm 8-VSONP -55 to 150


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8 3,3x3,3mm


CSD18543Q3AT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0081 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 66 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 1150pF @30VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 66W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSONP-8

外形尺寸

长度 3.15 mm

宽度 3 mm

高度 0.9 mm

封装 VSONP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD18543Q3AT引脚图与封装图
CSD18543Q3AT引脚图

CSD18543Q3AT引脚图

CSD18543Q3AT封装图

CSD18543Q3AT封装图

CSD18543Q3AT封装焊盘图

CSD18543Q3AT封装焊盘图

在线购买CSD18543Q3AT
型号 制造商 描述 购买
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替代型号CSD18543Q3AT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18543Q3AT

品牌: TI 德州仪器

封装: VSONP-8 N-Channel

当前型号

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型号: CSD18543Q3A

品牌: 德州仪器

封装:

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