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IDW20G65C5FKSA1、IDW40G65C5FKSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDW20G65C5FKSA1 IDW40G65C5FKSA1

描述 INFINEON  IDW20G65C5FKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247INFINEON  IDW40G65C5FKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 肖特基二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 130 W 112 W

正向电压 1.7V @20A 1.7V @40A

耗散功率 112000 mW 183 W

反向恢复时间 0 ns 0 ns

正向电流 20 A 40 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 103 A 182 A

正向电流(Max) 20 A 40000 mA

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 112000 mW -

正向电压(Max) - 2.1 V

封装 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 16.13 mm

宽度 - 5.21 mm

高度 - 21.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17