IDW40G65C5FKSA1

INFINEON  IDW40G65C5FKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247

thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基，

Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。

降低的 EMI

得捷:
DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3

欧时:
Infineon 二极管 IDW40G65C5FKSA1 肖特基, Io=40A, Vrev=650V, 3引脚 TO-247封装

艾睿:
Diode Schottky 650V 40A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Diode Schottky 650V 40A 3-Pin TO-247 Tube

富昌:
IDW40G65C5 系列 650V 40A 第5代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-247-3

Chip1Stop:
Diode Schottky 650V 40A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TME:
Diode: Schottky rectifying; 650V; 20A; 103A; CoolSiC™ 5G, SiC

Verical:
Diode Schottky 650V 40A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Newark:
# INFINEON  IDW40G65C5FKSA1  Silicon Carbide Schottky Diode, SiC, thinQ 5G 650V Series, Single, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247