IRF3710STRLPBF、STB40NF10LT4、STB35NF10T4对比区别

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型号 IRF3710STRLPBF STB40NF10LT4 STB35NF10T4

描述 N沟道,100V,57A,23mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 57.0 A 40.0 A 40.0 A

漏源极电阻 23 mΩ 0.028 Ω 0.03 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 150 W 115 W

阈值电压 4 V 1.7 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V 100 V

栅源击穿电压 - ±15.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 57.0 A 40.0 A 40.0 A

上升时间 58.0 ns 82 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 3130pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 W 150 W 115 W

下降时间 - 24 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 150W (Tc) 115W (Tc)

产品系列 IRF3710S - -

针脚数 - 3 -

长度 - 10.4 mm 10.75 mm

宽度 - 9.35 mm 10.4 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17