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STB40NF10LT4

STB40NF10LT4

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK


立创商城:
N沟道 100V 40A


欧时:
### N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 40 A, 0.028 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the STB40NF10LT4 power MOSFET from STMicroelectronics can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 150000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C. This device utilizes stripfet ii technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


力源芯城:
100V,40A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK


STB40NF10LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 40.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.028 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±15.0 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 82 ns

输入电容Ciss 2300pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 24 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, Power Management, 通信与网络, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STB40NF10LT4引脚图与封装图
STB40NF10LT4引脚图

STB40NF10LT4引脚图

STB40NF10LT4封装图

STB40NF10LT4封装图

STB40NF10LT4封装焊盘图

STB40NF10LT4封装焊盘图

在线购买STB40NF10LT4
型号 制造商 描述 购买
STB40NF10LT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V 搜索库存
替代型号STB40NF10LT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STB40NF10LT4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 100V 40A 30mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V

当前型号

型号: STP80NF10

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ

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型号: STP120NF10

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 100V 110A 10.5mΩ

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型号: STD15NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms

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