额定电压DC 100 V
额定电流 57.0 A
漏源极电阻 23 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
产品系列 IRF3710S
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 57.0 A
上升时间 58.0 ns
输入电容Ciss 3130pF @25VVds
额定功率Max 200 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF3710STRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道,100V,57A,23mΩ@10V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF3710STRLPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-252-3 N-Channel 100V 57A | 当前型号 | N沟道,100V,57A,23mΩ@10V | 当前型号 | |
型号: STB80NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 100V 80A 15mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB80NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V | IRF3710STRLPBF和STB80NF10T4的区别 | |
型号: STB35NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-Channel 100V 40A 35mohms | 功能相似 | N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRF3710STRLPBF和STB35NF10T4的区别 | |
型号: STB40NF10LT4 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 100V 40A 30mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB40NF10LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V | IRF3710STRLPBF和STB40NF10LT4的区别 |