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IRF3710STRLPBF

IRF3710STRLPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRF3710STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 57.0 A

漏源极电阻 23 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

产品系列 IRF3710S

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 57.0 A

上升时间 58.0 ns

输入电容Ciss 3130pF @25VVds

额定功率Max 200 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRF3710STRLPBF引脚图与封装图
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IRF3710STRLPBF International Rectifier 国际整流器 N沟道,100V,57A,23mΩ@10V 搜索库存
替代型号IRF3710STRLPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF3710STRLPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252-3 N-Channel 100V 57A

当前型号

N沟道,100V,57A,23mΩ@10V

当前型号

型号: STB80NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 100V 80A 15mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB80NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V

IRF3710STRLPBF和STB80NF10T4的区别

型号: STB35NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-Channel 100V 40A 35mohms

功能相似

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IRF3710STRLPBF和STB35NF10T4的区别

型号: STB40NF10LT4

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 100V 40A 30mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V

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