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LM285BXMX-2.5/NOPB、LM385BM-2.5/NOPB、LM385D-2.5G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM285BXMX-2.5/NOPB LM385BM-2.5/NOPB LM385D-2.5G

描述 LM185-2.5 -N / LM285-2.5 -N / LM385-2.5 -N微功耗电压基准二极管 LM185-2.5-N/LM285-2.5-N/LM385-2.5-N Micropower Voltage Reference DiodeTEXAS INSTRUMENTS  LM385BM-2.5/NOPB  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385系列, 2.5V, SOIC-8ON SEMICONDUCTOR  LM385D-2.5G  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385系列, 2.5V, NSOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 - 10.0 A -

容差 ±1.5 % ±1.5 % ±3 %

输出电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

供电电流 - 10.0 mA -

通道数 1 1 1

针脚数 - 8 8

输出电压(Max) 2.5 V 2.5 V 2.575 V

输出电压(Min) 2.5 V 2.5 V 2.5 V

输出电流(Max) 20 mA 20 mA 20 mA

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

精度 10 mV ±3 % 3 %

无卤素状态 - - Halogen Free

工作结温(Max) - - 70 ℃

额定电压 - - 2.5 V

长度 4.9 mm 5 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 4 mm 4 mm

高度 1.45 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

温度系数 ±30 ppm/℃ ±150 ppm/℃ ±80 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99