AOD5N50、FDD5N50NZTM、SIHD5N50D-GE3对比区别

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型号 AOD5N50 FDD5N50NZTM SIHD5N50D-GE3

描述 500V,5A,N沟道MOSFETUniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 MOSFET，D 系列高电压，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 104W (Tc) 62 W 104 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 5A 4A -

上升时间 32 ns 22 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 670pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 325pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 104 W 62 W 104 W

下降时间 22 ns 21 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 104W (Tc) 62W (Tc) 104 W

通道数 - 1 -

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 1.2 Ω

阈值电压 - - 3 V

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.39 mm 2.38 mm

工作温度 -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free