AOD5N50
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AOD5N50中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 104W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 670pF @25VVds
额定功率Max 104 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AOD5N50引脚图与封装图
暂无图片
替代型号AOD5N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AOD5N50 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： TO-252 N-CH 500V 5A | 当前型号 | 500V,5A,N沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDD5N50NZTM 品牌： 飞兆/仙童 封装： DPAK N-CH 500V 4A | 功能相似 | UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | AOD5N50和FDD5N50NZTM的区别 |