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FDD5N50NZTM

FDD5N50NZTM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Description

UniFET™ II MOSFET is Semiconductor®’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction PFC, flat panel display FPD TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Features

• RDSon = 1.38  Typ. @ VGS = 10 V, ID = 2 A

• Low Gate Charge Typ. 9 nC

• Low Crss Typ. 4 pF

• 100% Avalanche Tested

• Improved dv/dt Capability

• ESD Imoroved Capability

• RoHS Compliant

Applications

• LCD/LED/PDP TV

• Lighting

• Uninterruptible Power Supply

FDD5N50NZTM中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 62 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 440pF @25VVds

额定功率Max 62 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDD5N50NZTM引脚图与封装图
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在线购买FDD5N50NZTM
型号 制造商 描述 购买
FDD5N50NZTM Fairchild 飞兆/仙童 UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FDD5N50NZTM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDD5N50NZTM

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: DPAK N-CH 500V 4A

当前型号

UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号: SPD03N50C3

品牌: 英飞凌

封装: TO252-3 N-Channel 500V 3.2A

功能相似

INFINEON  SPD03N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V

FDD5N50NZTM和SPD03N50C3的区别

型号: SIHD5N50D-GE3

品牌: 威世

封装: TO-252-3

功能相似

N 通道 MOSFET,D 系列高电压,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

FDD5N50NZTM和SIHD5N50D-GE3的区别

型号: AOD5N50

品牌: 万代半导体

封装: TO-252 N-CH 500V 5A

功能相似

500V,5A,N沟道MOSFET

FDD5N50NZTM和AOD5N50的区别