CY14B101Q1A-SXI、CY14B101Q2A-SXI、CY14B101Q2-LHXIT对比区别
型号 CY14B101Q1A-SXI CY14B101Q2A-SXI CY14B101Q2-LHXIT
描述 1兆位( 128千×8 )串行( SPI )的nvSRAM数据保存:20年,在85 ℃下 1-Mbit (128 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM Data retention: 20 years at 85 °CCY14B101Q 系列 3 V 1 Mb (128 K × 8) 自动存储 nvSRAM - SOIC-81兆位( 128K ×8 )串行SPI的nvSRAM 1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 WDFN-8
工作电压 3 V 3 V -
供电电流 3 mA 3 mA -
时钟频率 - 40 MHz -
存取时间(Max) 9 ns 9 ns 9 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 1 W 1 W -
电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
耗散功率 1 W - -
电源电压(Max) 3.6 V - -
电源电压(Min) 2.7 V - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 WDFN-8
高度 1.48 mm - -
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
ECCN代码 - 3A991.b.2.a EAR99