CY14B101Q2A-SXI
数据手册.pdfCypress Semiconductor(赛普拉斯)
电子元器件分类
CY14B101Q2A-SXI中文资料参数规格
技术参数
工作电压 3 V
供电电流 3 mA
时钟频率 40 MHz
存取时间Max 9 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1 W
电源电压 2.7V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 3A991.b.2.a
CY14B101Q2A-SXI引脚图与封装图 
CY14B101Q2A-SXI引脚图
CY14B101Q2A-SXI封装图
CY14B101Q2A-SXI封装焊盘图
在线购买CY14B101Q2A-SXI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY14B101Q2A-SXI | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | CY14B101Q 系列 3 V 1 Mb 128 K × 8 自动存储 nvSRAM - SOIC-8 | 搜索库存 |
替代型号CY14B101Q2A-SXI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY14B101Q2A-SXI 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： TSOP | 当前型号 | CY14B101Q 系列 3 V 1 Mb 128 K × 8 自动存储 nvSRAM - SOIC-8 | 当前型号 |
| 型号： CY14B101J1-SXI 品牌： 赛普拉斯 封装： 8-SOIC | 完全替代 | 1兆位（ 128千× 8 ）串行（ I2C ）的nvSRAM 1 Mbit 128 K × 8 Serial I2C nvSRAM | CY14B101Q2A-SXI和CY14B101J1-SXI的区别 |
| 型号： CY14B101Q1A-SXI 品牌： 赛普拉斯 封装： TSOP | 完全替代 | 1兆位（ 128千×8 ）串行（ SPI ）的nvSRAM数据保存：20年，在85 ℃下 1-Mbit 128 K x 8 Serial SPI nvSRAM Data retention: 20 years at 85 °C | CY14B101Q2A-SXI和CY14B101Q1A-SXI的区别 |
| 型号： CY14B101Q2A-SXIT 品牌： 赛普拉斯 封装： TSOP | 完全替代 | 1兆位（ 128千×8 ）串行（ SPI ）的nvSRAM数据保存：20年，在85 ℃下 1-Mbit 128 K x 8 Serial SPI nvSRAM Data retention: 20 years at 85 °C | CY14B101Q2A-SXI和CY14B101Q2A-SXIT的区别 |