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SPA04N80C3、SPP35N10、SPP04N80C3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPA04N80C3 SPP35N10 SPP04N80C3

描述 INFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 VSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 800 V 100 V 800 V

额定电流 4.00 A 35.0 A 4.00 A

额定功率 38 W - 63 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 1.1 Ω - 1.1 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 38 W 150 W 63 W

阈值电压 3 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 800 V 100 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 35A 4.00 A

上升时间 15 ns 63 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 570pF @100V(Vds) 1570pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 38 W 150 W 63 W

下降时间 12 ns 23 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 38W (Tc) 150W (Tc) 63W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 800 V

长度 10.65 mm 10 mm 10 mm

宽度 4.85 mm 4.4 mm 4.4 mm

高度 16.15 mm 15.65 mm 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -