SPP35N10
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPP35N10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 35.0 A
极性 N-CH
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 63 ns
输入电容Ciss 1570pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPP35N10引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SPP35N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPP35N10 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220-3 N-CH 100V 35A | 当前型号 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： SPA04N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 800V 4A | 类似代替 | INFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V | SPP35N10和SPA04N80C3的区别 |
| 型号： SPP08N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220AB N-Channel 800V 8A | 类似代替 | INFINEON SPP08N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V | SPP35N10和SPP08N80C3的区别 |
| 型号： SPA06N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 800V 6A | 类似代替 | INFINEON SPA06N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V | SPP35N10和SPA06N80C3的区别 |