TLC272BIDG4、TLC272BIDR、TLC272BID对比区别

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型号 TLC272BIDG4 TLC272BIDR TLC272BID

描述 路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSLinCMOS 运算放大器### 运算放大器，Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS  TLC272BID  运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 - - 4V ~ 16V

输出电流 ≤30 mA ≤30 mA ≤30 mA

供电电流 1.4 mA 1.4 mA 1.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 0.725 W 725 mW 725 mW

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 1.80 µV/K 1.80 µV/K

带宽 1.70 MHz 1.7 MHz 1.7 MHz

转换速率 3.60 V/μs 3.60 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1.7 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 290 µV 2 mV 290 µV

输入偏置电流 0.7 pA 0.06 nA .7 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 1.7 MHz 2.2 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 - 3V ~ 16V 4V ~ 16V

电源电压(Max) 16 V 16 V 16 V

电源电压(Min) 4 V 4 V 4 V

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 4 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15