DMN2990UDJ-7、EM6K6T2R对比区别
描述 双 N沟道 20 V 990 mOhm 增强型 Mosfet - SOT-963双 N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor
数据手册 --
制造商 Diodes (美台) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 SOT-963 SOT-563-6
针脚数 - 6
漏源极电阻 - 0.7 Ω
极性 N-CH Dual N-Channel
耗散功率 0.35 W 150 mW
阈值电压 - 1 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 0.45A 0.3A
上升时间 3.3 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 27.6pF @16V(Vds) 25pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 350 mW 150 mW
下降时间 6.4 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 150 mW
长度 - 1.7 mm
宽度 - 1.2 mm
高度 - 0.45 mm
封装 SOT-963 SOT-563-6
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
ECCN代码 EAR99 -