EM6K6T2R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EM6K6T2R中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.7 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 150 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.3A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.45 mm
封装 SOT-563-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EM6K6T2R引脚图与封装图 
EM6K6T2R引脚图
EM6K6T2R封装图
EM6K6T2R封装焊盘图
在线购买EM6K6T2R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EM6K6T2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 双 N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM ### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号EM6K6T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EM6K6T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-563 Dual N-Channel 20V 0.3A | 当前型号 | 双 N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： DMN2990UDJ-7 品牌： 美台 封装： SOT-963 N-CH 20V 0.45A | 功能相似 | 双 N沟道 20 V 990 mOhm 增强型 Mosfet - SOT-963 | EM6K6T2R和DMN2990UDJ-7的区别 |
| 型号： SSM6N37FE 品牌： 东芝 封装： | 功能相似 | SSM6N37FE 复合场效应管 20V 250mA/0.25A SOT-563/ES6 marking/标记 SU 高速开关 | EM6K6T2R和SSM6N37FE的区别 |