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DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

双 N沟道 20 V 990 mOhm 增强型 Mosfet - SOT-963

Dual N-Channel 20 V 990 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-963


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963


立创商城:
2个N沟道 20V 450mA


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this DMN2990UDJ-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 350 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.45A 6-Pin SOT-963 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.45A Automotive 6-Pin SOT-963 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.45A Automotive 6-Pin SOT-963 T/R


儒卓力:
**N+N CH.MOS+ESD 20V 0,45A SOT963 **


Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963


DeviceMart:
MOSFET DL NCH 20V 450MA SOT-963


DMN2990UDJ-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.35 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.45A

上升时间 3.3 ns

输入电容Ciss 27.6pF @16VVds

额定功率Max 350 mW

下降时间 6.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-963

外形尺寸

封装 SOT-963

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMN2990UDJ-7引脚图与封装图
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