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BC846B、LBC846BLT1G、BC846BLT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC846B LBC846BLT1G BC846BLT1G

描述 Transistor: NPN; bipolar; 65V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23LBC846BLT1GON SEMICONDUCTOR  BC846BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFE

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

频率 300 MHz - 100 MHz

额定电压(DC) - - 65.0 V

额定电流 - - 100 mA

额定功率 - 225 mW 300 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 0.25 W - 300 mW

增益频宽积 100 MHz - 100 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V 65 V

集电极最大允许电流 - 100mA 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 200 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 450 450

额定功率(Max) - - 225 mW

直流电流增益(hFE) - - 200

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW - 300 mW

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - - 0.94 mm

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99