IPD78CN10NGATMA1、IPD90R1K2C3、IPD78CN10NGBUMA1对比区别

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型号 IPD78CN10NGATMA1 IPD90R1K2C3 IPD78CN10NGBUMA1

描述 Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10NGATMA1, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装INFINEON  IPD90R1K2C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 VInfineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 31 W 83 W -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 0.059 Ω 1.2 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 31 W 83 W 31 W

阈值电压 3 V 3 V -

输入电容 538 pF - -

漏源极电压(Vds) 100 V 900 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 13A 5.10 A 13A

上升时间 4 ns 20 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 716pF @50V(Vds) 710pF @100V(Vds) 538pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 31 W 83 W -

下降时间 3 ns 40 ns 3 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 31W (Tc) 83W (Tc) 31W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源击穿电压 - 900 V -

正向电压(Max) - 1.2 V -

长度 6.73 mm 6.5 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.41 mm 2.3 mm 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99