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IPD78CN10NGBUMA1

IPD78CN10NGBUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列

Infineon
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* OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

得捷:
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3


欧时:
### Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET MV POWER MOS


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the IPD78CN10NGBUMA1 power MOSFET from Infineon Technologies can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 31000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes optimos 2 technology.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD78CN10NGBUMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 31 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 538pF @50VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPD78CN10NGBUMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD78CN10NGBUMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD78CN10NGBUMA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列 Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存
替代型号IPD78CN10NGBUMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD78CN10NGBUMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel 100V 13A

当前型号

Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

当前型号

型号: IPD78CN10NGATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 13A

类似代替

Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10NGATMA1, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

IPD78CN10NGBUMA1和IPD78CN10NGATMA1的区别

型号: IPD65R950CFDATMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 650V 3.9A

类似代替

N沟道 650V 3.9A

IPD78CN10NGBUMA1和IPD65R950CFDATMA1的区别