IPD65R950CFDATMA1、IPD65R950CFDBTMA1、IPD78CN10NGBUMA1对比区别

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型号 IPD65R950CFDATMA1 IPD65R950CFDBTMA1 IPD78CN10NGBUMA1

描述 N沟道 650V 3.9ATrans MOSFET N-CH 700V 3.9A 3Pin TO-252 T/RInfineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 36.7 W 36.7 W -

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 36.7 W 36.7W (Tc) 31 W

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 100 V

漏源击穿电压 650 V - -

连续漏极电流(Ids) 3.9A - 13A

上升时间 6.5 ns 6.5 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 380pF @100V(Vds) 380pF @100V(Vds) 538pF @50V(Vds)

下降时间 13.8 ns 13.8 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 36.7W (Tc) 36.7W (Tc) 31W (Tc)

通道数 - 1 -

额定功率(Max) - 36.7 W -

长度 6.5 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.3 mm - 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Last Time Buy Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99