IPD65R950CFDBTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD65R950CFDBTMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 36.7 W
通道数 1
耗散功率 36.7W Tc
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 6.5 ns
输入电容Ciss 380pF @100VVds
额定功率Max 36.7 W
下降时间 13.8 ns
耗散功率Max 36.7W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD65R950CFDBTMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD65R950CFDBTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD65R950CFDBTMA1 | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 700V 3.9A 3Pin TO-252 T/R | 搜索库存 |
替代型号IPD65R950CFDBTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD65R950CFDBTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 700V 3.9A 3Pin TO-252 T/R | 当前型号 |
| 型号： IPD65R660CFDATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 650V 6A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V | IPD65R950CFDBTMA1和IPD65R660CFDATMA1的区别 |
| 型号： IPD65R950CFDATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 650V 3.9A | 类似代替 | N沟道 650V 3.9A | IPD65R950CFDBTMA1和IPD65R950CFDATMA1的区别 |