CY7C1313KV18-250BZXI、CY7C1313KV18-333BZC、CY7C1313KV18-250BZI对比区别

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型号 CY7C1313KV18-250BZXI CY7C1313KV18-333BZC CY7C1313KV18-250BZI

描述 18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 -

封装 FBGA-165 FBGA-165 LBGA-165

位数 18 18 -

存取时间 0.45 ns 0.45 ns -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

供电电流 440 mA - -

时钟频率 250 MHz - -

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

封装 FBGA-165 FBGA-165 LBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 3A991 - -